[发明专利]光电转换元件及其制造方法

摘要

提供可得到高光电转换效率的光电转换元件及其制造方法。一种光电转换元件，其具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的包含钙钛矿化合物的活性层和设置于阳极与活性层之间的空穴注入层，空穴注入层为在水清洗处理后的残膜率测定中残膜率为80％以上的层，空穴注入层的材料为选自聚噻吩及其衍生物、芳香族胺化合物、以及在重复单元中具备包含具有至少3个取代基的苯基的芳香族胺残基的高分子化合物中的1种以上的材料。

主权项

一种光电转换元件，其具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的包含钙钛矿化合物的活性层和设置于阳极与活性层之间的空穴注入层，空穴注入层为在下文中所示的水清洗处理后的残膜率测定中残膜率为80％以上的层，空穴注入层的材料为选自聚噻吩及其衍生物、芳香族胺化合物、以及在重复单元中具备芳香族胺残基的高分子化合物中的1种以上的材料，所述芳香族胺残基包含具有至少3个取代基的苯基，水清洗处理后的残膜率测定方法：在单边1英寸的正方形的基板上通过旋涂法进行涂布成膜而形成膜，使得形成与进行光电转换元件中的空穴注入层的成膜时同等的膜厚，然后在膜上以弯月状载置水，静置30秒钟后，以4000rpm进行旋转而甩尽水，由此进行水清洗处理，用触针式膜厚计测定水清洗处理前后的膜厚，将(水清洗处理后的膜厚/水清洗处理前的膜厚)×100的值作为水清洗处理后的残膜率，所述残膜率的单位为％。