[发明专利]固态成像器件和电子设备有效
申请号: | 201680006416.1 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN107210311B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 古闲史彦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本技术涉及能够抑制光电转换部的光电转换特性的劣化的固态成像元件和电子设备。该固态成像元件设置有像素,所述像素包括:光电转换部,其形成在半导体基板外部;电荷保持部,其用于保持在光电转换部中生成的信号电荷;复位晶体管,其用于复位电荷保持部的电位;电容量切换晶体管,其与电荷保持部连接,并用于切换电荷保持部的电容量;以及附加电容量元件,其与电容量切换晶体管连接。例如,本技术能够应用至固态成像元件。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像器件,所述固态成像器件包括像素,所述像素具有:光电转换单元,所述光电转换单元形成在半导体基板外部;电荷保持单元,所述电荷保持单元用于保持由所述光电转换单元生成的信号电荷;复位晶体管,所述复位晶体管用于复位所述电荷保持单元的电位;电容量切换晶体管,所述电容量切换晶体管与所述电荷保持单元连接,并用于切换所述电荷保持单元的电容量;以及附加电容量元件,所述附加电容量元件与所述电容量切换晶体管连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的