[发明专利]等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201680005474.2 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN107112233A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 乾裕俊 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人： | 邵秋雨,赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，上述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物。式(1)中，x表示3或4，y表示5～9的整数，z表示1～3的整数。其中，上述气体状的含氟化合物不包括上述式(1)所示的化合物。根据本发明，可提供一种等离子体蚀刻方法，其是相对于掩模选择性地蚀刻含有硅的膜的方法，能够在短时间形成良好的形状的孔、槽。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，所述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物，其中，所述气体状的含氟化合物不包括所述式(1)所示的化合物，CxHyFz (1)式(1)中，x表示3或4，y表示5～9的整数，z表示1～3的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
