[发明专利]导电结构体及其制造方法在审
| 申请号： | 201680005431.4 | 申请日： | 2016-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN107197627A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 林振炯;闵进赫;金起焕;朴赞亨;李一翻 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/08;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 王楠楠,李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。根据本发明的一个实施方案的导电结构体的制造方法包括以下步骤在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成步骤通过使用CO2的反应溅射来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电结构体的制造方法，包括：在基板上形成金属层，以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO2的反应溅射来进行。
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