[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201680002307.2 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106796888A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，包括栅电极(2)；设置在栅电极(2)的正下方或正上方的区域中的沟道层(7)；设置为与沟道层(7)接触的源电极(5)和漏电极(6)；以及设置在栅电极(2)和沟道层(7)之间的第一绝缘层(3)，沟道层(7)包括第一氧化物半导体，源电极和漏电极中至少一个包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。还提供一种制造该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅电极；设置在所述栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与所述沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在所述栅电极和所述沟道层之间的第一绝缘层，所述沟道层包括第一氧化物半导体，所述源电极和所述漏电极中的至少一个包括第二氧化物半导体，所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
