[实用新型]栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路

摘要

本实用新型涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极。本实用新型能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。

主权项

一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，所述双脉冲主电路主要包括被测器件T2、陪测器件T1、第一功率器件VD1和第二功率器件VD2；所述陪测器件T1和第一功率器件VD1并联，被测器件T2和第二功率器件VD2并联，陪测器件T1的集电极连接到电源U的正极和负载电感Lload的一端，陪测器件T1的发射极连接到被测器件T2的集电极和负载电感Lload的另一端，被测器件T2的发射极和电源U的负极相连，第一功率器件VD1、第二功率器件VD2分别和陪测器件T1、被测器件T2反并联，陪测器件T1的门极G处于负压关断，被测器件T2的门极G为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路主要包括栅极电阻R1~R20、二极管D1~D10、光继电器K1~K10、栅极电容Cge1~Cge10和光继电器K11~K20，光继电器K1~K10的一端连接被测器件T2的栅极信号，光继电器K1~K10的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件T2的栅极、光继电器K11~K20的正输入端和稳压管D的一端，光继电器K11~K20的负端连接栅极电容Cge1~Cge10的一端，栅极电容Cge1~Cge10的另一端连接被测器件T2的发射极和稳压管D的另一端，栅极电容Cge1~Cge10并联设置。