[实用新型]栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，尤其是一种基于数字控制的栅极电阻R_ge、电容C_ge连续可调的IGBT测试电路。

背景技术

当前在电力电子应用领域中，功率半导体IGBT得到了广泛的应用。在应用之前，利用半桥电路对IGBT进行双脉冲的动态测试以验证其性能，如图1所示，在图1中通过测试下半桥IGBT来说明双脉冲测试电路的性能，其中U 为电压源，L_load为负载电感，T₂为下半桥的IGBT，VD1为上半桥的FRD，图2为被测的IGBT的V_ge、I_C和V_CE的波形图，在测试过程中利用示波器、电流电压探头测试下半桥的IGBT的电流I_C、电压V_ce和驱动V_ge，上半桥IGBT T₁处于负压关断状态。在IGBT芯片焊接到DBC板或封装完毕之后，为了验证IGBT芯片的动态性能，通过焊接的方式调整驱动板上的栅极电阻R₁、R₂和C_ge组合，达到最终的测试目的。但是通过手动调整R₁、R₂和C_ge组合的方式测试IGBT，会造成测试时间长、动态测试参数精度低、效率低、驱动板焊接点易脱落等问题。

当前的测试方法是先在驱动板上焊接栅极电阻来测试功率器件的动态参数，通过分析，测试参数不合适，然后从测试平台上拆下驱动板，然后利用电烙铁焊接另一组电阻，依次类推，这样测试给测试人员带来很多的麻烦，测试时间长、分析周期长等等，再加上不断的对栅极电阻和栅极电容的匹配问题，测试数据更多，分析更加困难，造成测试、分析效率低。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。