[实用新型]具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片有效
| 申请号： | 201621174501.2 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN206163513U | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;闫宝华;王建华;陈康;刘琦 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片，该GaAs基LED芯片包括N电极、GaAs衬底和外延层，外延层上设置有电流扩展层，电流扩展层上设置有p电极，p电极外围的电流扩展层为粗化电流扩展层。本实用新型通过设置粗化电流扩展层，避免了现有技术中对GaAs基LED芯片的外延层直接进行粗化造成的不稳定性，且通过负胶剥离的方式制备的粗化电流扩展层图形更稳定，提高了出光效率，避免了采用常规腐蚀法制备电极过程中的腐蚀液对粗化电流扩展层的腐蚀及对粗化面影响，通过负性光刻胶剥离制备电极的方法，避免了对粗化电流扩展层的损伤且电极图形更易焊线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 扩展 gaas led 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片，包括N电极、GaAs衬底和外延层，N电极、GaAs衬底和外延层自下至上依次设置，其特征是，外延层上设置有电流扩展层，电流扩展层上设置有p电极，p电极外围的电流扩展层为粗化电流扩展层。
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