[实用新型]一种光电信号转换处理装置有效
申请号: | 201621134984.3 | 申请日: | 2016-10-18 |
公开(公告)号: | CN206134699U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 秦炎福 | 申请(专利权)人: | 安徽科技学院 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0203 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人: | 翁斌 |
地址: | 233100 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种光电信号转换处理装置,所述陶瓷基板的上方设有半导体光敏层,所述半导体光敏层上方左侧设有正电极,所述半导体光敏层上方右侧设有负电极,所述金属基座下方左侧设有正电极引脚,所述正电极引脚贯穿金属基座内部的陶瓷基板和半导体光敏层,且延伸至正电极的上方,所述金属基座下方右侧设有负电极引脚,所述负电极引脚贯穿金属基座内部的陶瓷基板和半导体光敏层,且延伸至负电极的上方。本光电信号转换处理装置,在金属壳体内部的陶瓷基板上设有小于陶瓷基板面积的半导体光敏层节省了光敏电阻的制作材料,同时,减少的半导体光敏层涂覆空间也减少了正电极和负电极设置所需要的材料,有效提高了光敏电阻的环保水平。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 信号 转换 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种光电信号转换处理装置,包括金属基座(1),其特征在于:所述金属基座(1)上方设有金属壳体(5),所述金属基座(1)内部下方设有陶瓷基板(2),所述陶瓷基板(2)的上方设有半导体光敏层(3),所述半导体光敏层(3)上方左侧设有正电极(4),所述半导体光敏层(3)上方右侧设有负电极(6),所述金属基座(1)下方左侧设有正电极引脚(9),所述正电极引脚(9)贯穿金属基座(1)内部的陶瓷基板(2)和半导体光敏层(3),且延伸至正电极(4)的上方,所述金属基座(1)下方右侧设有负电极引脚(8),所述负电极引脚(8)贯穿金属基座(1)内部的陶瓷基板(2)和半导体光敏层(3),且延伸至负电极(6)的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的