[实用新型]用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置有效
| 申请号： | 201621124806.2 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN206134651U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 郭威;王斌;何悦;胡克喜;任勇;李志刚;王在发 | 申请（专利权）人： | 尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁,郑暄 |
| 地址： | 201114 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，所述的组合装置包括载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠在所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。采用了该实用新型中的组合装置，利用去离子水滴落在硅片上的表现形式不一致来区分二氧化硅是否覆盖良好，载片装置使硅片以30度的角度倾斜，方便于测试人员测试，移液枪取出分量固定为20μL，取水过多则即使在覆盖不良的状态下，等离子水也能往下流动，取水过少则无法流到硅片底部，从而影响对结果的判断。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 硅片 臭氧 氧化 亲水性 组合 装置 | ||
【主权项】：
一种用于测试硅片臭氧氧化层亲水性的组合装置，其特征在于，所述的组合装置包括：载片装置，所述的载片装置包括支撑硅片的支撑面及稳固硅片的抵挡条，所述的支撑面的底边与所述的抵挡条相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撑面的顶边与所述的抵挡条之间，取水装置，所述的取水装置为20μL的移液枪。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
