[实用新型]一种提高光利用率的多晶硅片结构有效
申请号: | 201620953002.7 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN205944111U | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 孙显强 | 申请(专利权)人: | 温州市赛拉弗能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提高光利用率的多晶硅片结构,所述锥形凸起块的外侧连接有透明导电氧化层,所述透明导电氧化层的右端连接有第一集电极,所述第一集电极贯穿于保护层的右侧,所述保护层的内侧上部设有凸起块,所述钢化玻璃的顶部设有均匀分布的圆形凸起块,所述P型多晶硅片的左侧连接有第二集电极,所述第二集电极贯穿于保护层的左侧。该多晶硅结构通过在钢化玻璃的外表面设置圆形凸起块,使得阳光被聚集起来并照射于锥形凸起块的表面,而后光在凹槽的内部不断折射和吸收,从而提高阳光的利用率,该结构减去了传统多晶硅片所使用的EVA粘结膜,免去了因EVA粘结膜变黄而影响多晶硅光利用率的烦恼。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 利用率 多晶 硅片 结构 | ||
【主权项】:
一种提高光利用率的多晶硅片结构,包括本体(1),其特征在于:所述本体(1)的外侧分别设有细栏栅(15)和粗栏栅(16),所述细栏栅(15)和粗栏栅(16)垂直相交,所述本体(1)包括保护层(2)、钢化玻璃(9)、P型多晶硅片(3)和N型多晶硅片(4),所述钢化玻璃(9)、P型多晶硅片(3)和N型多晶硅片(4)均位于保护层(2)的内侧,所述P型多晶硅片(3)的顶端和N型多晶硅片(4)的底端之间设有导通层(5),所述N型多晶硅片(4)的顶部设有锥形凸起块(6),所述锥形凸起块(6)的外侧表面设有凹槽(7),所述锥形凸起块(6)的外侧连接有透明导电氧化层(8),所述透明导电氧化层(8)的右端连接有第一集电极(13),所述第一集电极(13)贯穿于保护层(2)的右侧,所述保护层(2)的内侧上部设有凸起块(12),所述钢化玻璃(9)的外侧设有卡槽(11),所述钢化玻璃(9)的顶部设有均匀分布的圆形凸起块(10),所述P型多晶硅片(3)的左侧连接有第二集电极(14),所述第二集电极(14)贯穿于保护层(2)的左侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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