[实用新型]一种水平电极倒装红光LED芯片有效
| 申请号： | 201620942652.1 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN206003813U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 石峰;杨凯;林鸿亮;赵宇;田海军;李波;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/46;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种水平电极倒装红光LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域。在衬底上设键合层、ODR介质层、P‑GaP电流扩展层，在部分P‑GaP电流扩展层上设置P面P‑Finger扩展电极和P‑Pad 中心电极，在大部分P‑GaP电流扩展层上依次设置P‑Space限制层、MQW有源区、N‑Space限制层和N‑AlGaInP粗化层。在部分N‑AlGaInP粗化层上设置N‑GaAs欧姆接触层，在N‑GaAs欧姆接触层上设置N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极。可使P面电流得到很好的扩展，使降低芯片顺向电压，提高发光强度和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水平 电极 倒装 红光 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种水平电极倒装红光LED芯片，包括衬底、键合层，其特征在于在键合层上依次设置ODR介质层和P‑GaP电流扩展层，在一小部分P‑GaP电流扩展层上设置P面P‑Finger扩展电极和P‑Pad 中心电极，在大部分P‑GaP电流扩展层上依次设置P‑Space限制层、MQW有源区、N‑Space限制层和N‑AlGaInP粗化层；在部分N‑AlGaInP粗化层上设置N‑GaAs欧姆接触层，在N‑GaAs欧姆接触层上设置N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极。
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