[实用新型]一种新型光伏电池组件有效
申请号: | 201620881243.5 | 申请日: | 2016-08-15 |
公开(公告)号: | CN205911317U | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 赵飞;苏雁军;杨春华 | 申请(专利权)人: | 国网山西省电力公司大同供电公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙)11457 | 代理人: | 黄云铎 |
地址: | 037000*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种新型光伏电池组件,所述新型光伏电池组件包括第一硅晶片(1)、第一钝化层·(2)、第一金属接触层(3)、绝缘层(4)、第二金属接触层(5)。所述第一硅晶片(1)设置于所述新型光伏电池的最下层;所述第一钝化层(2)设置于所述第一硅晶片(1)上;所述第一金属接触层(3)沉积在所述第一钝化层(2)上;所述绝缘层(4)设置于所述第一金属层(3)之上,并且填充所述第二预定形状的空缺部位;所述第二金属接触层(5)沉积在所述绝缘层(4)之上。本实用新型的光伏电池组件发光效率高,金属触点均匀、光滑,无毛刺,因此,所形成的电流稳定噪声小。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电池 组件 | ||
【主权项】:
一种新型光伏电池组件,其特征在于,所述新型光伏电池组件包括:第一硅晶片(1)、第一钝化层(2)、第一金属接触层(3)、绝缘层(4)、第二金属接触层(5),所述第一硅晶片(1)设置于所述新型光伏电池组件的最下层;所述第一钝化层(2)设置于所述第一硅晶片(1)上;所述第一金属接触层(3)沉积在所述第一钝化层(2)上,所述第一钝化层(2)上具有第一预定形状的第一烧蚀图案,所述第一金属接触层(3)在所述第一烧蚀图案处具有嵌入到所述第一钝化层(2)中的第一金属触点(6),与所述第一硅晶片(1)相接触,所述第一金属接触层(3)上留有第二预定形状的空缺部位;所述绝缘层(4)设置于所述第一金属接触层(3)之上,并且填充所述第二预定形状的空缺部位;所述第二金属接触层(5)沉积在所述绝缘层(4)之上,其中,所述绝缘层(4)上具有与所述空缺部位匹配、但尺寸小于所述空缺部位的第二烧蚀图案,所述第二烧蚀图案穿透所述绝缘层(4)、所述空缺部位到达所述第一硅晶片(1),所述第二金属接触层(5)具有嵌入在所述第二烧蚀图案中的第二金属触点(7),所述第一金属接触层(3)和第二金属接触层(5)均由两层结构构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的