[实用新型]一种新型高效高压LED芯片

摘要

本实用新型提供了一种新型高效高压LED芯片，属于一种光电子发光器件技术领域，包括蓝宝石层、芯片单元、隔离槽、连接线、GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，其特征在于，还包括导光柱，所述的蓝宝石层上依次设有GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元，各个芯片单元之间设有隔离槽，彼此之间由连接线进行串联，每个芯片单元的边缘刻有导光柱。本实用新型提供了一种新型高效高压LED芯片，提升了LED整体的出光效率，同时增大了LED芯片的电压，对提高芯片的亮度和功率卓有成效。

主权项

一种新型高效高压LED芯片，包括蓝宝石层(1)、芯片单元(2)、隔离槽(3)、连接线(5)、GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9)，其特征在于：还包括导光柱(4)，所述的蓝宝石层(1)上依次设有GaN缓冲层(6)、N型GaN(7)、量子阱发光层(8)和P型GaN(9)，上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元(2)，各个芯片单元(2)之间设有隔离槽(3)，彼此之间由连接线(5)进行串联，每个芯片单元(2)的边缘刻有导光柱(4)。