[实用新型]自定位晶圆承盘有效
申请号: | 201620686781.9 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN205810771U | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 罗郁南 | 申请(专利权)人: | 晨州塑胶工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 中国台湾台中 *** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型公开一种自定位晶圆承盘,其主要是由一基底部,及该基底部的一侧的复数个第一容置结构,与另一侧对应该第一容置结构且相等数量的复数个第二容置结构构成。且容置结构的容置功能是由复数个平斜面,及复数个弧斜面构成,两者与晶圆本体构成线接触的放置方式,以减少平面摩擦,产生降低损坏及精确定位的功能。且各该平斜面和各该弧斜面可以使弹跳出的晶圆,能沿各该平斜面及各该弧斜面复位。另外容置结构上还有定向的限位构造,以便晶圆同向放置。 | ||
搜索关键词: | 定位 晶圆承盘 | ||
【主权项】:
一种自定位晶圆承盘,其特征在于,包含:一基底部;至少一第一容置结构,设置于所述基底部的一侧;其中该至少一第一容置结构具有一由该基底部突出以圈围出一第一晶圆槽的圆环以及复数个设置于该圆环上的第一限位件;该圆环的内侧有朝向该圆环中心倾斜的一弧斜面以及一平斜面;各该第一限位件的顶端具有一位于该圆环顶侧的限位部,而两相邻的限位部与该圆环顶侧之间则分别形成一第一限位凹槽;以及至少一第二容置结构,设置于所述基底部的另一侧;其中该至少一第二容置结构具有一由该基底部突出以圈围出一第二晶圆槽的圆环以及复数个设置于该圆环上的第二限位件;该圆环的内侧有朝向该圆环中心倾斜的一弧斜面以及一平斜面;各该第二限位件的顶端具有一位于该圆环顶侧的限位部,而两相邻的限位部与该圆环顶侧之间则分别形成一第二限位凹槽;其中,该等第一限位件与该等第二限位件成交错设置,使该等第一限位件的限位部分别对应于该等第二限位凹槽,而该等第二限位件的限位部分别对应于该等第一限位凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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