[实用新型]一种分栅栅极沟槽结构和沟槽肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620633310.1 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN205984996U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种分栅栅极沟槽结构，包括所述分栅栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有一第一栅氧化层，且所述第一栅氧化层内淀设一多晶硅栅，且所述多晶硅栅的顶部凸出所述第一栅氧化层；还包括一第二栅氧化层，且所述第二栅氧化层淀设于所述栅极沟槽的上方侧壁上，所述第二栅氧化层处于所述第一栅氧化层及所述第一多晶硅栅的上方，一第二多晶硅栅淀设于所述第二栅氧化层的内部。本实用新型在传统沟槽肖特基二极管结构中引入分栅结构，增加的反向耐压，同时通过特殊的终端设计，保证了终端的耐压。本实用新型可以有效的提升沟槽肖特基二极管的反向耐压，使得在相同耐压情况下，可以选择更低电阻率的外延，来降低肖特基二极管的正向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 沟槽 结构 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种分栅栅极沟槽结构，其特征在于，包括分栅栅极沟槽：所述分栅栅极沟槽的底部淀设有一第一栅氧化层，且所述第一栅氧化层内淀设一第一多晶硅栅，且所述第一多晶硅栅的顶部凸出所述第一栅氧化层；还包括一第二栅氧化层，且所述第二栅氧化层淀设于所述分栅栅极沟槽的上方侧壁上，所述第二栅氧化层处于所述第一栅氧化层及所述第一多晶硅栅的上方，一第二多晶硅栅淀设于所述第二栅氧化层的内部。
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