[实用新型]图像传感器和像素有效

专利信息
申请号: 201620611134.1 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN205692832U 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: N·博克 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/369
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及图像传感器和像素。提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括像素阵列,所述像素阵列的每个像素包括:光电探测器,所述光电探测器在半导体衬底中形成,并且具有用于接收代表入射光的光电荷的电荷收集区域;接收装置,所述接收装置在所述半导体衬底中而且邻近所述电荷收集区域形成,所述接收装置具有覆盖在所述半导体衬底上并与所述半导体衬底绝缘、接收响应度控制信号的栅极;以及读出电路,所述读出电路响应于选择信号将由所述光电探测器的所述电荷收集区域收集的所述光电荷转移到输出。
搜索关键词: 图像传感器 像素
【主权项】:
一种图像传感器(300),所述图像传感器包括像素阵列(310),其特征在于所述像素阵列的每个像素(400)包括:光电探测器(420),所述光电探测器在半导体衬底(410)中形成,并且具有用于接收代表入射光的光电荷的电荷收集区域(422);接收装置(430),所述接收装置在所述半导体衬底(410)中而且邻近所述电荷收集区域(422)形成,所述接收装置具有覆盖在所述半导体衬底(410)上并与所述半导体衬底绝缘、接收响应度控制信号的栅极(432);以及读出电路(440),所述读出电路响应于选择信号将由所述光电探测器(420)的所述电荷收集区域(422)收集的所述光电荷转移到输出。
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