[实用新型]图像传感器和像素有效
申请号: | 201620611134.1 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN205692832U | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | N·博克 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及图像传感器和像素。提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括像素阵列,所述像素阵列的每个像素包括:光电探测器,所述光电探测器在半导体衬底中形成,并且具有用于接收代表入射光的光电荷的电荷收集区域;接收装置,所述接收装置在所述半导体衬底中而且邻近所述电荷收集区域形成,所述接收装置具有覆盖在所述半导体衬底上并与所述半导体衬底绝缘、接收响应度控制信号的栅极;以及读出电路,所述读出电路响应于选择信号将由所述光电探测器的所述电荷收集区域收集的所述光电荷转移到输出。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 | ||
【主权项】:
一种图像传感器(300),所述图像传感器包括像素阵列(310),其特征在于所述像素阵列的每个像素(400)包括:光电探测器(420),所述光电探测器在半导体衬底(410)中形成,并且具有用于接收代表入射光的光电荷的电荷收集区域(422);接收装置(430),所述接收装置在所述半导体衬底(410)中而且邻近所述电荷收集区域(422)形成,所述接收装置具有覆盖在所述半导体衬底(410)上并与所述半导体衬底绝缘、接收响应度控制信号的栅极(432);以及读出电路(440),所述读出电路响应于选择信号将由所述光电探测器(420)的所述电荷收集区域(422)收集的所述光电荷转移到输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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