[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201620588803.8 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN205692851U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吴红斌;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的LED外延结构、以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，所述LED外延结构上还设有电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层位于P电极下方的透明导电层与LED外延结构之间，所述电流阻挡层间隔设置于LED外延结构的上方，所述透明导电层至少覆盖电流阻挡层及P电极区域以外的全部或部分LED外延结构，所述LED外延结构上形成有若干未被电流阻挡层和透明导电层覆盖且间隔设置的功能区，所述P电极在P电极区域上方交替与所述功能区和透明导电层电性连接。本实用新型中降低了LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的LED外延结构、以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，所述LED外延结构上还设有电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层位于P电极下方的透明导电层与LED外延结构之间，其特征在于，所述电流阻挡层间隔设置于LED外延结构的上方，所述透明导电层至少覆盖电流阻挡层及P电极区域以外的全部或部分LED外延结构，所述LED外延结构上形成有若干未被电流阻挡层和透明导电层覆盖且间隔设置的功能区，所述P电极在P电极区域上方交替与所述功能区和透明导电层电性连接。
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