[实用新型]一种新型硅片气体钝化装置主控制柜有效
申请号: | 201620467494.9 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN205621757U | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 许益民 |
地址: | 215002 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提出一种新型硅片气体钝化装置主控制柜,其包括上盖板,其内设有第一水平隔板,电路控制板固定在第一水平隔板上;第一水平隔板与底板之间设有第二水平隔板以及与第二水平隔板垂直的第三隔板,反应气体发生器固定在第二水平隔板上,反应气体分析仪设置于第二水平隔板与底板之间的容置空间内,气体流量仪表设置于第三隔板与右侧板之间的容置空间内;左侧板上设有多个散热孔以及多个通气孔,所述多个通气孔用于连接臭氧、空气、压缩空气等气体管道;右侧板上设有控制面板、开关按钮以及多个散热孔。所述主控制柜结构紧凑,可将主控制柜直接固定安装在硅片处理产线支架上,主控制柜和气体喷淋组件之间仅需要较短的管道和电源线连接,既节省了材料的使用也使产线空间得到合理的利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 硅片 气体 钝化 装置 主控 | ||
【主权项】:
一种新型硅片气体钝化装置主控制柜,所述主控制柜大致呈长方体型构造,其特征在于,其包括上盖板,其内设有第一水平隔板,上盖板与第一水平隔板之间容置电路控制板,所述电路控制板固定在所述第一水平隔板上;第一水平隔板与底板之间设有第二水平隔板以及与第二水平隔板垂直的第三隔板,反应气体发生器固定在第二水平隔板上,反应气体分析仪设置于第二水平隔板与底板之间的容置空间内,气体流量仪表设置于第三隔板与右侧板之间的容置空间内;左侧板上设有多个散热孔以及多个通气孔;顶部设有多个管线接入口,右侧板上设有控制面板、开关按钮以及多个散热孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的