[实用新型]一种快速恢复二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201620402526.7 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN205595340U | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 余挺 | 申请（专利权）人： | 杭州东沃电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 浙江省杭州市西湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种快速恢复二极管芯片结构，包括采用外延片结构，将单晶片生长一层N型层，同时使阳极面增加一个高浓度的均匀的P+结构层。所述，结构由N结构层、N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、阴极、阳极、氧化层、钝化层组成。与现有的结构相比，本实用新型一种快速恢复二极管芯片结构，在阳极面增加一个高浓度的均匀的P+结构层，使其具有残存电荷功能，在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并驻留更长的时间将提高软度因子。由此使其由硬特性优化为软恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 恢复 二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
本实用新型公开了一种快速恢复二极管芯片结构，包括采用外延片结构，将单晶片生长一层N型层，同时使阳极面增加一个高浓度的均匀的P+结构层，所述，结构由N结构层、N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、阴极、阳极、氧化层、钝化层组成。
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