[实用新型]一种增强注入型的发光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 201620373028.4 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN205723600U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;童吉楚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构，在衬底上生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，U/N‑GaN单晶薄膜中生成纵向穿透位错，在U/N‑GaN单晶薄膜上生长应力释放层，应力释放层中生成纵向V型凹槽，V型凹槽位于穿透位错正上方；在应力释放层上生长多量子阱有源层，并在有源层上延伸保持V型凹槽；在有源层上生长P‑AlGaN层，并在P‑AlGaN层上延伸保持V型凹槽；在V型凹槽的斜面上覆盖一层U‑GaN并延伸至P‑AlGaN层表面；在V型凹槽中填满P‑GaN并将V型凹槽填平，覆盖在延伸至P‑AlGaN层表面的U‑GaN上。本实用新型可以增加空穴的有效注入，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 注入 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种增强注入型的发光二极管的外延结构，其特征在于：在衬底上生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，U/N‑GaN单晶薄膜中生成纵向穿透位错，在U/N‑GaN单晶薄膜上生长应力释放层，应力释放层中生成纵向V型凹槽，V型凹槽位于穿透位错正上方；在应力释放层上生长多量子阱有源层，并在有源层上延伸保持V型凹槽；在有源层上生长P‑AlGaN层，并在P‑AlGaN层上延伸保持V型凹槽；在V型凹槽的斜面上覆盖一层U‑GaN并延伸至P‑AlGaN层表面；在V型凹槽中填满P‑GaN并将V型凹槽填平，覆盖在延伸至P‑AlGaN层表面的U‑GaN上。
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