[实用新型]一种N型IBC太阳能电池结构有效
申请号: | 201620310634.1 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN205723556U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 屈小勇;刘涵;宋志成;倪玉凤;张婷;陈璐;吴翔 | 申请(专利权)人: | 中电投西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型IBC太阳能电池结构,包括硅片基体,硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层,硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区;N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层;背面钝化增反层上设置有正电极和负电极,且正电极及负电极均贯穿背面钝化增反层,并分别与P+掺杂区及N+掺杂区电性连接。本实用新型提供的N型IBC太阳能电池结构,其硅片基体的正表面上仅设置有正面钝化减缓层,其背面的N+掺杂区和P+掺杂区上采用同一种背面钝化增反层,相对于现有的N型IBC太阳能电池结构而言,其结构大大简化。 | ||
搜索关键词: | 一种 ibc 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种N型IBC太阳能电池结构,其特征在于,包括:硅片基体;所述硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层;所述硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区;所述N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层;所述背面钝化增反层上设置有正电极和负电极,且所述正电极及所述负电极均贯穿所述背面钝化增反层,并分别与所述P+掺杂区及所述N+掺杂区电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的