[实用新型]一种GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201620226322.2 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN205428942U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，包括：衬底；SiC晶须，所述SiC晶须位于所述衬底上，且所述SiC晶须呈周期性图形结构；AlyGa1‑yN成核层，所述AlyGa1‑yN成核层位于所述SiC晶须周围及上方；GaN沟道层，所述GaN沟道层位于所述AlyGa1‑yN成核层上；势垒层，所述势垒层位于所述GaN沟道层上；栅极、漏极、源极，所述源极和漏极分别位于所述势垒层的左右两侧，所述栅极位于所述势垒层的中间，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；SiC晶须，所述SiC晶须位于所述衬底上，且所述SiC晶须呈周期性图形结构；AlyGa1‑yN成核层，所述AlyGa1‑yN成核层位于所述SiC晶须周围及上方，0≤y≤1；GaN沟道层，所述GaN沟道层位于所述AlyGa1‑yN成核层上；势垒层，所述势垒层位于所述GaN沟道层上；栅极、漏极、源极，所述源极和漏极分别位于所述势垒层的左右两侧，所述栅极位于所述势垒层的中间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620226322.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低光衰减率背钝化晶体硅太阳能电池
- 下一篇：一种高压LED
- 同类专利
- 专利分类
