[实用新型]高可靠无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路有效
申请号: | 201620151389.4 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN205406521U | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 刘国庆 | 申请(专利权)人: | 威科电子模块(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L23/06;H01L21/70 |
代理公司: | 长沙市和协专利代理事务所(普通合伙) 43115 | 代理人: | 梁国华 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种高可靠无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路,底座上安装有氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片,小功率芯片和大功率芯片分别布置于氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片上,底座与所述两种陶瓷基片之间,开有金属通孔;底座的底面有引出端焊接球;小功率芯片和半导体裸芯片分别焊接在相应的金属焊接区上,芯片级封装芯片和传感信号处理芯片焊接在球型焊接区之上,在氮化铝陶瓷基片的正面集成有热敏电阻,其上有厚膜绝缘介质膜,大功率芯片安装于厚膜绝缘介质膜上。其优点是可通过来热敏电阻感知内部温升从而采取保护措施、高频干扰小,适用于大功率、高频等应用领域。 | ||
搜索关键词: | 可靠 引线 球脚表贴式厚膜 混合 集成电路 | ||
【主权项】:
一种高可靠无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路,包括底座、厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感、半导体裸芯片和封装芯片,其特征在于:底座上安装有氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片,小功率芯片和大功率芯片分别布置于氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片上,底座与所述两种陶瓷基片之间,开有通孔,通孔内部填充有金属浆料,形成金属通孔;底座的底面有引出端焊接球;氧化铝陶瓷基片的正面集成有厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感,其上覆盖有三氧化二铝瓷绝缘介质保护层;在氧化铝陶瓷基片已键合的半导体裸芯片区域,覆盖有绝缘介质涂封层;半导体裸芯片 用键合丝与陶瓷基片上的金属导带连接;小功率芯片和半导体裸芯片分别焊接在相应的金属焊接区上,芯片级封装芯片和传感信号处理芯片焊接在球型焊接区之上,在氮化铝陶瓷基片的正面集成有热敏电阻,其上有厚膜绝缘介质膜,大功率芯片安装于厚膜绝缘介质膜上,所述氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片的背面有复合金层镀膜层,在氮化铝陶瓷基片的背面与底座 之间安装有半导体热电致冷单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的