[实用新型]IGBT管保护电路以及使用该保护电路的功率模块有效
申请号: | 201620127596.6 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN205429695U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 李祥;吴美飞 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24;H03K17/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了IGBT管保护电路以及使用该保护电路的功率模块。该保护电路包括:欠压保护控制信号产生电路,检测一IGBT管的集电极‑发射极电压,当所述IGBT管在导通时其所述集电极‑发射极电压高于一安全阈值时,产生欠压保护控制信号;驱动电路,与所述欠压保护控制信号产生电路耦接,根据所述欠压保护控制信号,关闭所述驱动电路,使所述IGBT管截止。本实用新型克服了传统保护电路中存在的保护触发值设置过高造成频繁发生保护或触发值设置过低则IGBT管长期处于线性区导致发热量过大的问题。 | ||
搜索关键词: | igbt 保护 电路 以及 使用 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种IGBT管保护电路,包括:欠压保护控制信号产生电路,检测一IGBT管的集电极‑发射极电压,当所述IGBT管在导通时其所述集电极‑发射极电压高于一安全阈值时,产生欠压保护控制信号;驱动电路,与所述欠压保护控制信号产生电路耦接,根据所述欠压保护控制信号,关闭所述驱动电路,使所述IGBT管截止。
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