[发明专利]氧化物TFT、其制造方法、使用其的显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201611270971.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564949B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 裵钟旭;张容豪;裵俊贤;智光焕;尹弼相;卢智龙 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;谭天 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了氧化物薄膜晶体管、其制造方法以及使用其的显示面板和显示装置，其中，在由氧化物半导体形成的半导体层的端部处设置有第一导电部和第二导电部。第一导电部和第二导电部电连接到第一电极和第二电极，并且被栅极绝缘层覆盖。氧化物TFT包括：设置在缓冲层上的并且包含氧化物半导体的半导体层；覆盖半导体层和缓冲层的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上以与半导体层的一部分交叠的栅电极；以及覆盖栅电极和栅极绝缘层的钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 tft 制造 方法 使用 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，包括：设置在缓冲层上的半导体层，所述半导体层包含氧化物半导体材料并且包括有源区、与所述有源区的第一末端相邻的第一导电部、以及与所述有源区的第二末端相邻的第二导电部；覆盖所述半导体层和所述缓冲层的栅极绝缘层；栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘层上并且与所述半导体层的一部分交叠；以及覆盖所述栅电极和所述栅极绝缘层的钝化层，其中所述有源区的电阻不同于所述第一导电部的电阻和所述第二导电部的电阻。
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