[发明专利]气体组分自动控制的等离子体化学气相沉积设备在审
申请号: | 201611267479.0 | 申请日: | 2016-12-31 |
公开(公告)号: | CN106480432A | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 滕海燕 | 申请(专利权)人: | 合肥优亿科机电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人: | 娄岳,金凯 |
地址: | 230888 安徽省合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体组分自动控制的等离子体化学气相沉积设备,包括真空腔室,所述真空腔室上开设有快接接口,所述快接接口通过取样气路与用于检测真空腔室内气体组分的气相检测系统连接,气相检测系统的输出端与控制及反馈系统连接并将检测结果输出至控制及反馈系统,控制及反馈系统的输出端与质量流量计连接,控制及反馈系统输出控制信号来控制质量流量计给气量的大小。通过在等离子体化学气相沉积设备中添加气相检测系统和控制及反馈系统来实时检测并调控真空腔室内的气体组分,以达到提高成膜质量和提高成膜速率的效果。 | ||
搜索关键词: | 气体 组分 自动控制 等离子体 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种气体组分自动控制的等离子体化学气相沉积设备,包括真空腔室,其特征在于,所述真空腔室上开设有快接接口,所述快接接口通过取样气路与用于检测真空腔室内气体组分的气相检测系统连接,气相检测系统的输出端与控制及反馈系统连接并将检测结果输出至控制及反馈系统,控制及反馈系统的输出端与质量流量计连接,控制及反馈系统输出控制信号来控制质量流量计给气量的大小。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的