[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201611265906.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269841B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森;胡小龙;吴肖 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。
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