[发明专利]一种低漏电流的肖特基二极管在审
| 申请号： | 201611259214.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106684117A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低漏电流的肖特基二极管，包括：第一导电类型半导体基体、形成于所述第一导电类型半导体基体两侧上表层中的第二导电类型保护区，形成在第二导电类型保护区上的绝缘层，形成于第一导电类型半导体基体以及第二导电类型保护区上的势垒金属层，所述势垒金属层与所述绝缘层相接，所述势垒金属层由不连续的多个电性连接的势垒金属分层组成，相邻势垒金属分层被绝缘凹槽相隔，所述绝缘凹槽内填充导电介质，所述导电介质与所述势垒金属层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种低漏电流的肖特基二极管，包括：第一导电类型半导体基体、形成于所述第一导电类型半导体基体两侧上表层中的第二导电类型保护区，形成在第二导电类型保护区上的绝缘层，形成于第一导电类型半导体基体以及第二导电类型保护区上的势垒金属层，所述势垒金属层与所述绝缘层相接，其特征在于：所述势垒金属层由不连续的多个电性连接的势垒金属分层组成，相邻势垒金属分层被绝缘凹槽相隔，所述绝缘凹槽内填充导电介质，所述导电介质与所述势垒金属层电性连接。
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