[发明专利]一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用有效
申请号: | 201611257627.0 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106601831B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;张凯胜;吴家宏 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L21/308;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213002 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用。本发明提供了一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液,该水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成,采用上述水膜溶液在硅片的扩散面(正面)上形成保护层,再进入刻蚀槽刻蚀背面和边缘的PN结,这样能够抑制刻蚀液中挥发的酸在水膜中的重新溶解,从而减小对扩散面(正表面)PSG和PN结的破坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 硅片 刻蚀 用水膜 溶液 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液,其特征在于:所述的水膜溶液为葡萄糖和双氟磺酰亚胺盐分散于水中所形成,所述的葡萄糖在水膜溶液中的含量为1.5~4.0g/L,所述的双氟磺酰亚胺盐为双氟磺酰亚胺钠或双氟磺酰亚胺锂,其在水膜溶液中的含量为0.1~0.35mol/L。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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