[发明专利]一种IBC电池的制备方法有效
申请号: | 201611249476.4 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106784152B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 王子谦;刘大伟;翟金叶;李峰;张雷;史金超;宋登元;刘莹;任秀强 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 王荣君 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种IBC电池的制备方法,涉及太阳能电池技术领域;包括:N型硅片双面制绒;N型硅片的背光面磷硅玻璃的沉积;在已经沉积磷硅玻璃的一面进行磷掺杂推进;并同时在磷掺杂区域形成一层损伤层;清洗,去除硅片表面除损伤层外的磷硅玻璃层;硅片背光面实行高温硼扩散,在硅片背面形成梳状交叉分布的N型扩散区域和P型扩散区域;去除硅片表面损伤层及硼硅玻璃层;在硅片正反表面沉积钝化减反层;在硅片背光面P型区和N型区丝网印刷金属栅线,经烘干、烧结后形成IBC电池;只经过硼扩散一步的高温过程,同时形成磷掺杂区域及损伤层,降低了工艺难度,减少了过多的高温工艺对硅片的不利影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 ibc 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种IBC电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:A:N型硅片(1)双面制绒;B:将N型硅片(1)的背面抛光,并进行磷硅玻璃(2)的沉积;C:在已经沉积磷硅玻璃(2)的一面的需要掺磷区域进行磷掺杂激光推进形成磷掺杂区域(3);并同时在磷掺杂区域(3)形成一层损伤层(4),所述损伤层(4)厚度为1‑5微米;D:经化学清洗,去除硅片(1)表面除损伤层(4)外的磷硅玻璃层;E:对硅片(1)背光面实行高温硼扩散工艺,形成硼掺杂区域(5),损伤层(4)能够阻挡硼原子的扩散,从而在硅片(1)背面形成梳状交叉分布的N型扩散区域和P型扩散区域,同时硼扩散中的后氧化工艺,能够在硅片(1)表面形成一层硼硅玻璃层;F:经化学清洗,去除硅片(1)表面损伤层(4)及硼硅玻璃层;G:在硅片(1)正反表面沉积一层钝化减反层(6);H:在硅片(1)背光面P型区和N型区丝网印刷金属栅线(7),经烘干、烧结后形成IBC电池成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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