[发明专利]一种IBC电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611249476.4 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106784152B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 王子谦;刘大伟;翟金叶;李峰;张雷;史金超;宋登元;刘莹;任秀强 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 王荣君
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种IBC电池的制备方法,涉及太阳能电池技术领域;包括:N型硅片双面制绒;N型硅片的背光面磷硅玻璃的沉积;在已经沉积磷硅玻璃的一面进行磷掺杂推进;并同时在磷掺杂区域形成一层损伤层;清洗,去除硅片表面除损伤层外的磷硅玻璃层;硅片背光面实行高温硼扩散,在硅片背面形成梳状交叉分布的N型扩散区域和P型扩散区域;去除硅片表面损伤层及硼硅玻璃层;在硅片正反表面沉积钝化减反层;在硅片背光面P型区和N型区丝网印刷金属栅线,经烘干、烧结后形成IBC电池;只经过硼扩散一步的高温过程,同时形成磷掺杂区域及损伤层,降低了工艺难度,减少了过多的高温工艺对硅片的不利影响。
搜索关键词: 一种 ibc 电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种IBC电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:A:N型硅片(1)双面制绒;B:将N型硅片(1)的背面抛光,并进行磷硅玻璃(2)的沉积;C:在已经沉积磷硅玻璃(2)的一面的需要掺磷区域进行磷掺杂激光推进形成磷掺杂区域(3);并同时在磷掺杂区域(3)形成一层损伤层(4),所述损伤层(4)厚度为1‑5微米;D:经化学清洗,去除硅片(1)表面除损伤层(4)外的磷硅玻璃层;E:对硅片(1)背光面实行高温硼扩散工艺,形成硼掺杂区域(5),损伤层(4)能够阻挡硼原子的扩散,从而在硅片(1)背面形成梳状交叉分布的N型扩散区域和P型扩散区域,同时硼扩散中的后氧化工艺,能够在硅片(1)表面形成一层硼硅玻璃层;F:经化学清洗,去除硅片(1)表面损伤层(4)及硼硅玻璃层;G:在硅片(1)正反表面沉积一层钝化减反层(6);H:在硅片(1)背光面P型区和N型区丝网印刷金属栅线(7),经烘干、烧结后形成IBC电池成品。
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