[发明专利]带迟滞功能的电流比较器有效

专利信息
申请号: 201611246010.9 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106533402B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 李景虎;吴阳吉;涂航辉;陈福洁 申请(专利权)人: 厦门亿芯源半导体科技有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 带迟滞功能的电流比较器,属于集成电路下电流比较器技术领域,本发明为解决传统电流比较器采用统一的阈值电流,且因响应速度过快,进而对尖峰电流夹带的噪声敏感,导致输出电平出现不必要的翻转,影响最终的判决结果的问题。本发明包括阈值电流控制单元1、反相器INV0、反相器INV1、NMOS晶体管MN1~MN5、NMOS晶体管MN9~MN10、PMOS晶体管MP3和电流源Ipeak_current;当尖峰电流夹杂噪声时,传统电流比较器将会较快的翻转电平,而带迟滞功能的电流比较器会较慢的对尖峰电流的变化做出响应。且每次翻转电平后都适应性切换电流阈值的大小。
搜索关键词: 迟滞 功能 电流 比较
【主权项】:
带迟滞功能的电流比较器,其特征在于,包括阈值电流控制单元(1)、反相器INV0、反相器INV1、NMOS晶体管MN1~MN5、NMOS晶体管MN9~MN10、PMOS晶体管MP3和电流源Ipeak_current;阈值电流控制单元(1)的一号偏置电压信号输出端连接PMOS晶体管MP3的栅极;阈值电流控制单元(1)的二号偏置电压信号输出端同时连接NMOS晶体管MN9的栅极和NMOS晶体管MN10的栅极;PMOS晶体管MP3的源极连接直流电源VDD;PMOS晶体管MP3的漏极同时连接NMOS晶体管MN1的漏极及栅极、NMOS晶体管MN2的栅极和NMOS晶体管MN3的栅极;NMOS晶体管MN1的源极、NMOS晶体管MN2的源极和NMOS晶体管MN3的源极共同连接GND;电流源Ipeak_current的负端同时连接NMOS晶体管MN2的漏极、NMOS晶体管MN4的漏极、NMOS晶体管MN10的漏极、NMOS晶体管MN5的栅极和反相器INV0的输入端;NMOS晶体管MN4的源极同时连接NMOS晶体管MN3的漏极和NMOS晶体管MN9的漏极;NMOS晶体管MN9的源极、NMOS晶体管MN10的源极、NMOS晶体管MN5的源极及漏极共同连接GND;NMOS晶体管MN4的栅极同时连接反相器INV0的输出端和反相器INV1的输入端,反相器INV1的输出端连接电流比较器的输出端Vout。
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