[发明专利]LDMOS晶体管在审
| 申请号： | 201611242583.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107123678A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吴俊庆;王柏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS晶体管，包括衬底、第一区域、第二区域、源极区、漏极区、有源栅极堆叠件和伪栅极堆叠件。衬底具有第一导电性。具有第一导电性的第一区域形成在衬底中。具有第二导电性的第二区域形成在衬底中并且与第一区域相邻。具有第二导电性的源极区形成在第一区域中。具有第二导电性的漏极区形成在第二区域中。有源栅极堆叠件设置在第一区域上。伪栅极堆叠件设置在第二区域上，并且伪栅极堆叠件电连接至可变电压。本发明实施例涉及LDMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包括：第一导电性的衬底；第一导电性的第一区域，形成在所述衬底中；第二导电性的第二区域，形成在所述衬底中，所述第二区域与所述第一区域相邻；第二导电性的源极区，形成在所述第一区域中；第二导电性的漏极区，形成在所述第二区域中；有源栅极堆叠件，设置在所述第一区域上；以及伪栅极堆叠件，设置在所述第二区域上，所述伪栅极堆叠件电连接至可变电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611242583.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种照明控制开关
- 下一篇：室外路灯能耗监控方法
- 同类专利
- 专利分类
