[发明专利]测试欧姆接触区方块电阻的方法

摘要

本发明公开了一种欧姆接触区方块电阻的测试方法。其实现方案是：制备两组电极宽度为W的欧姆接触方块电阻的测试图形，每种测试图形包括三个欧姆电极，两组测试图形的第一电极和第三电极的尺寸、第一电极与第二电极的距离及第二电极与第三电极的距离均相同，第二组测试图形的第二电极长度是第一组测试图形第二电极长度的α倍；分别测试两组测试图形中第一电极与第三电极之间的电阻值；对测试图形二所测的电阻值与测试图形一所测的电阻值作差，将结果乘以W/((α‑1)L₁₂)项，得到每组测试图形中欧姆接触区的方块电阻。本发明测试图形简单易制作，测试方法简便，结果准确可靠，可用于高电子迁移率异质结晶体管制作。

主权项

1.一种测试欧姆接触区方块电阻的方法，包括如下步骤：(1)制备欧姆接触测试图形：在半导体体材料上先淀积金属电极，再采用高温退火的方法制备出两组宽度均为W的欧姆接触方块电阻测试图形，每种测试图形包括三个欧姆电极；第一组测试图形中的三个欧姆电极长度分别为L₁₁、L₁₂、L₁₃，欧姆电极之间距离分别为L_1a，L_1b；第二组测试图形中的三个欧姆电极长度分别为L₂₁、L₂₂、L₂₃，欧姆电极之间的距离分别为L_2a，L_2b，其中L₂₁＝L₁₁，L₂₂＝αL₁₂，L₂₃＝L₁₃，L_2a＝L_1a，L_2b＝L_1b，α＞0，且α≠1；(2)方块电阻的测量：(2a)在第一组测试图形的第一电极与第三电极之间施加偏置电压，并在回路中串联电流表，读取电流表的值，利用I‑V关系计算得到第一电极与第三电极之间的电阻值R_L1：R_L1＝V₁/I₁；其中R_L1为第一组测试图形中第一电极与第三电极之间的电阻值，V₁为第一组测试图形中第一电极与第三电极上所加的电压，I₁为第一组测试图形中由第一电极、第二电极、第三电极及有源区所构成的回路中的电流值；(2b)在第二组测试图形的第一电极与第三电极之间施加偏置电压，并在回路中串联电流表，读取电流表的值，利用I‑V关系计算得到第一电极与第三电极之间的电阻值R_L2：R_L2＝V₂/I₂；其中R_L2为第二组测试图形中第一电极与第三电极之间的电阻值，V₂为第二组测试图形中第一电极与第三电极上所加的电压，I₂为第二组测试图形中由第一电极、第二电极、第三电极及有源区所构成的回路中的电流值；(2c)根据(2a)和(2b)中所测得的两个电阻值R_L1和R_L2，构建每组测试图形欧姆接触区的方块电阻计算公式：R_shc＝((R_L2‑R_L1)W)/((α‑1)L₁₂)。