[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在苏打玻璃衬底上，采用高温共蒸发工艺制备CIGS光吸收层；步骤2、黏贴临时支撑层；步骤3、去除苏打玻璃衬底；步骤4、键合柔性衬底；步骤5、去除临时支撑层；具体为：首先采用柠檬烯溶解CIGS光吸收层表面的石蜡，将临时支撑衬底与石蜡去除，并用去离子水清洗，氮气吹干；然后采用化学水浴法制备工艺沉积厚度为50～80nm的CdS缓冲层；采用磁控溅射工艺在缓冲层上，分为沉积厚度为50nm的本征氧化锌薄膜和300～800nm的ITO薄膜，采用电子束蒸发工艺在ITO薄膜上制备3μm的铝电极，完成电池器件的制备。

主权项

1.一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法；其特征在于：至少包括如下步骤：步骤101、在苏打玻璃衬底上，采用高温共蒸发工艺制备CIGS光吸收层；步骤102、黏贴临时支撑层；具体为：将石蜡覆盖在CIGS光吸收层表面、边缘及侧面，并加热到70～120℃，待石蜡融化后粘附临时支撑层；所述临时支撑层的材料为PI或PET或PEN中的一种；步骤103、去除苏打玻璃衬底；具体为：待石蜡固化后，将上述黏贴有临时支撑层的苏打玻璃衬底浸没于质量分数为40％的氢氟酸中，并加热至80℃～100℃，将苏打玻璃衬底腐蚀掉；步骤104、键合柔性衬底；所述步骤104中的柔性衬底为柔性塑料衬底，步骤104具体为：将步骤103得到的样品用去离子水清洗，并用氮气吹干后，采用直流磁控溅射工艺在Mo衬底表面先后沉积厚度为0.5‑1μm的Cr薄膜和0.5‑1μm的In薄膜；在柔性塑料衬底上沉积0.5‑3μm的Sn薄膜，在真空条件下，将In与Sn薄膜紧密贴合，加热至100℃～150℃后，保持5min～20min，实现In‑Sn金属键合，形成键合金属合金层；步骤105、去除临时支撑层；具体为：首先采用柠檬烯溶解CIGS光吸收层表面的石蜡，将临时支撑衬底与石蜡去除，并用去离子水清洗，氮气吹干；然后采用化学水浴法制备工艺沉积厚度为50～80nm的CdS缓冲层；采用磁控溅射工艺在缓冲层上，分为沉积厚度为50nm的本征氧化锌薄膜和300～800nm的ITO薄膜，采用电子束蒸发工艺在ITO薄膜上制备3μm的铝电极，完成电池器件的制备。