[发明专利]基于石墨烯的位置灵敏光探测器在审
申请号: | 201611234302.0 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106803528A | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 梁铮;倪振华;王文辉;丁荣 | 申请(专利权)人: | 泰州巨纳新能源有限公司;泰州新飞光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于石墨烯的位置灵敏探测器,所述的探测器器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极;所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成;所述的Si是轻掺杂Si衬底,其掺杂浓度范围为1014‑1016 cm‑3,电阻率为1‑100Ωcm;所述的SiO2的厚度为50‑500nm;所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯;所述的金属电极为金、镍或铂。本发明的有益效果如下基于本发明所获得的基于石墨烯的位置灵敏探测器,可以解决现有位置灵敏探测器探测微弱光的问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 位置 灵敏 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯的位置灵敏探测器,其特征在于,所述的探测器器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极;所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成;所述的Si是轻掺杂Si衬底,其电阻率为1‑100Ωcm;所述的SiO2的厚度为50‑500nm;所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯;所述的金属电极为金、镍或铂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的