[发明专利]基于石墨烯的位置灵敏光探测器

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于石墨烯与硅协同作用的位置灵敏光探测器。本发明属光电子器件领域。

背景技术

位置灵敏探测器是基于横向光电效应的一种光学位置探测器，目前已广泛应用于工业，工程，航天和军工领域。现有的位置灵敏光探测器多是基于硅材料，具有良好的分辨率和响应时间，但是其响应度低，探测的光强通常在微瓦级别，不能实现纳瓦级别弱光位置灵敏探测，这在实际应用中受到严重的限制。在实际应用中，检测的光多为反射光，经过长距离的传输和散射，实际探测到的光可能十分微弱。比如在激光制导中，位置灵敏探测组件的最小探测功率（Pmin）直接决定了导引头系统的作用距离，Pmin越小，系统的作用距离就越远。因此，高精度的快速光学位置检测具有重要的应用前景。

石墨烯(graphene)是由碳原子构成的一种新型二维半导体材料，它的高迁移率和宽带吸收使他成为高速光电应用领域最有潜力的候选者。尽管石墨烯是单原子层结构，对光的吸收很弱，但是它可以借助其他光敏材料作为光吸收层，结合自身的高迁移率实现很高的光增益，使其在弱光下能够获得很高的光响应。

基于上述背景，本发明提出一种基于石墨烯与硅协同作用的位置灵敏探测器。

发明内容

本发明提出一种基于石墨烯与硅协同作用的位置灵敏光探测器。以解决现有位置灵敏探测器最小探测极限功率高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种基于石墨烯的位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si/SiO₂衬底、设在Si/SiO₂衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极；

所述的Si/SiO₂衬底由底部的Si和Si上方的SiO₂组成；

所述的Si是轻掺杂Si衬底，其电阻率为1-100Ωcm；

所述的SiO₂的厚度为50-500nm；

所述的石墨烯是单层、双层或3-10层的少层石墨烯；

所述的金属电极为金、镍或铂。

一种基于石墨烯的位置灵敏探测器的制备方法，包括如下步骤：

1）在Si/SiO₂衬底上通过微机械剥离法制备石墨烯；

2）通过电子束曝光和金属薄膜沉积技术在石墨烯上沉积两个电极。

本发明的基于石墨烯与硅协同作用的位置灵敏探测器的原理如图1所示，光穿透二氧化硅（SiO₂）照在轻掺杂硅（Si）表面，使得硅中产生光生载流子，并在浓度梯度的作用下向四周扩散。若用恒定的光照射，光致载流子将在硅中形成稳定扩散分布，扩散到石墨烯器件区域下方的Si/SiO₂界面处的载流子对石墨烯具有电场调制作用，并引起石墨烯沟道电流的变化，即光致电流。由于石墨烯具有很高的迁移率，载流子在两个电极之间的传输时间极短，导致了石墨烯探测器具有很高的增益，即使在弱光下也可以获得可观的光电流。另外，光电流的大小主要是与扩散至石墨烯下方的载流子的浓度或数量有关。根据非平衡载流子扩散理论，扩散至某处的载流子数量与光斑到石墨烯器件的距离是负相关的，这说明在恒定的光照下，光电流与光斑中心到石墨烯器件的距离存在负相关对应关系。所以，该探测器对弱光具有良好的位置灵敏性。

有益效果：基于本发明所获得的基于石墨烯的位置灵敏探测器，可以解决现有位置灵敏探测器探测微弱光的问题。

附图说明

图1是本发明的结构与原理示意图。石墨烯两边是电极。

图2为本发明石墨烯器件的光学显微图片。

图3为本发明400nW，532nm光照下的光电流和光斑到石墨烯器件距离的对应关系图。

图4为本发明400nW，532nm光照下获得的二维位置灵敏性光探测图（石墨烯器件位于坐标原点）。

具体实施方式

本发明中：Si/SiO2衬底制备方法属于常规技术，请参考以下文献：

陈涛，席珍强，杨德仁等，快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究，材料处理学报，28,1（2007）

J, T, Wright et al. Thermal oxidation of silicon in a residual oxygen atmosphere—the RESOX process—for self-limiting growth of thin silicon dioxide films, Semiconductor Science and Technology, 31 (2016).