[发明专利]基于CMOS GOA的测试电路有效
| 申请号： | 201611232128.6 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106782240B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张启沛;赵莽 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种基于CMOS GOA的测试电路，包括：第一PMOS晶体管；第二PMOS晶体管；第一NMOS晶体管；第二NMOS晶体管；反相器，其中，第一PMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第一级传信号端连接，第二PMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第n级传信号端连接，第一PMOS晶体管的第一端与高电平连接，第一PMOS晶体管的第二端与第二PMOS晶体管的第一端连接，第二PMOS晶体管的第二端与反相器的输入端连接，其中，n为级传信号的总数量，其中，第一NMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第一级传信号端连接，第二NMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第n级传信号端连接，第一NMOS晶体管的第一端和第二NMOS晶体管的第一端与反相器的输入端连接，第一NMOS晶体管的第二端和第二NMOS晶体管的第二端与低电平连接。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos goa 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS GOA的测试电路，包括：第一PMOS晶体管；第二PMOS晶体管；第一NMOS晶体管；第二NMOS晶体管；反相器，其中，第一PMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第一级传信号端连接，第二PMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第n级传信号端连接，第一PMOS晶体管的第一端与高电平连接，第一PMOS晶体管的第二端与第二PMOS晶体管的第一端连接，第二PMOS晶体管的第二端与反相器的输入端连接，其中，n为级传信号的总数量，其中，第一NMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第一级传信号端连接，第二NMOS晶体管的栅极与CMOS GOA的第n级传信号端连接，第一NMOS晶体管的第一端和第二NMOS晶体管的第一端与反相器的输入端连接，第一NMOS晶体管的第二端和第二NMOS晶体管的第二端与低电平连接。
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