[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。其中一种制造半导体器件的方法提供如下。外延层形成在有源鳍结构上。金属栅电极形成在有源鳍结构上。栅电极盖形成在金属栅电极的上表面上。金属栅间隔物形成在金属栅电极的侧壁上。源电极/漏电极形成在外延层上。空气间隔物区通过去除金属栅电极盖和金属栅间隔物而形成。空气间隔物形成在空气间隔物区内。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成有源鳍结构和隔离区；在所述有源鳍结构上形成外延层；在所述有源鳍结构上形成第一金属栅电极和第二金属栅电极；分别在所述第一金属栅电极的上表面和所述第二金属栅电极的上表面上形成第一栅电极盖和第二栅电极盖；在所述第一金属栅电极的第一侧壁和所述第二金属栅电极的第一侧壁上分别形成第一金属栅间隔物和第二金属栅间隔物，其中所述第一金属栅电极的所述第一侧壁和所述第二金属栅电极的所述第一侧壁彼此面对，并且其中所述外延层插置在所述第一金属栅间隔物和所述第二金属栅间隔物之间；在所述外延层上并且在所述第一金属栅间隔物与所述第二金属栅间隔物之间形成源电极/漏电极；通过去除所述第一金属栅电极盖和所述第二金属栅电极盖以及所述第一金属栅间隔物和所述第二金属栅间隔物而形成空气间隔物区；以及在所述空气间隔物区内形成第一空气间隔物和第二空气间隔物，其中所述第一空气间隔物插置在所述源电极/漏电极与所述第一金属栅电极之间，以及其中所述第二空气间隔物插置在所述源电极/漏电极与所述第二金属栅电极之间。