[发明专利]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201611225378.7 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106784024B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连围 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基二极管，包括；半导体材料，将半导体材料分隔为阳极区与阴极区的沟槽，所述阳极区上与半导体材料接触的的阳极金属层，所述阴极区上与半导体材料接触的的阴极金属层，所述沟槽成环状，所述沟槽内靠近阴极区的部分填充绝缘介质，沟槽内靠近阳极区一侧形成栅极结构，所述栅极结构由沟槽内壁形成的第一栅绝缘层与沟槽中填充的导电多晶硅组成，所述导电多晶硅与所述阳极金属层电性连接，本发明有效改善反向偏压较低及反向漏电流偏大问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括：半导体材料，将半导体材料分隔为阳极区与阴极区的沟槽，所述阳极区上与半导体材料接触的的阳极金属层，所述阴极区上与半导体材料接触的的阴极金属层，其特征在于：所述沟槽成环状，所述沟槽内靠近阴极区的部分填充绝缘介质，沟槽内靠近阳极区一侧形成栅极结构，所述栅极结构由沟槽内壁形成的第一栅绝缘层与沟槽中填充的导电多晶硅组成，所述导电多晶硅与所述阳极金属层电性连接；所述导电多晶硅填满沟槽，并且高度超过沟槽口表面，在所述沟槽口处偏向阳极区一侧向外扩展，使得沟槽外导电多晶硅的宽度大于沟槽内导电多晶硅的宽度，所述沟槽外的导电多晶硅两侧形成绝缘侧墙，所述沟槽外的的导电多晶硅下形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层材料与第一栅绝缘层材料相同。
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