[发明专利]一种增大过孔层的过孔坡度角的方法有效
| 申请号： | 201611208823.9 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106816365B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨永光;曾艳新;王浩;刘伟;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 章兰芳 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上，在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60至90度的过孔层过孔。实施本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，能够形成坡度角为60至90度的过孔层过孔，同时降低过孔层的关键尺寸失真，使电路能有更好的搭接效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 坡度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上，其特征在于：在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
