[发明专利]一种增大过孔层的过孔坡度角的方法

说明书

本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上，在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60至90度的过孔层过孔。实施本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，能够形成坡度角为60至90度的过孔层过孔，同时降低过孔层的关键尺寸失真，使电路能有更好的搭接效果。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种增大过孔层的过孔坡度角的方法。

背景技术

在显示面板行业中，电路设计一般为4～12层图案的叠加，在半导体行业中，层数更是多达几十道。在这些多层的电路设计中，过孔层是必不可少的一层，它起到连接电路、承上启下的作用。对过孔层来说，过孔坡度角尤为重要，坡度角小则过孔层的关键尺寸损失大，当过孔坡度角为90°的时候，过孔层的关键尺寸损失最小。但目前采用传统工艺制作出来的坡度角最大约为60°，还存在很大程度上的关键尺寸损失。而过孔坡度角除了和成膜与刻蚀工艺相关之外，还和光刻岗位中所成的光刻胶的坡度角有很大的关系，而光刻胶的坡度角的形成取决于真空干燥和软烘步骤中光刻胶的软硬程度。传统工艺中一般要求真空干燥和软烘步骤后光刻胶的软硬程度一致，但其形成的光刻胶过孔由于溶解速率一致，会形成上宽下窄的正角，从而导致刻蚀步骤后形成的过孔坡度角偏小，影响电路的搭接质量。

发明内容

本发明提供一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，解决了增大光刻步骤中的真空干燥时长来生成上层硬度大于下层的光刻胶，并经过曝光显影后形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，再经过刻蚀步骤形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔的技术问题。

为解决以上技术问题，本发明提供一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上：在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；

在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔。

具体地，在所述真空干燥步骤中，逐渐抽出工艺腔室的空气直至真空，所述光刻胶上部的溶剂从表面开始蒸发。

具体地，在所述软烘步骤中，用热板将工艺腔室升温，所述光刻胶下部的溶剂从底面开始蒸发。

具体地，在所述刻蚀步骤中，所述光刻胶与膜层形成过孔层过孔后的弧形边缘与膜层底面的相交处的切面与所述膜层底面所成的夹角为所述过孔坡度角。

优选地，在所述真空干燥步骤中，延长抽真空时间最佳为35％。

本发明提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，在传统工艺的基础上，通过增大光刻步骤中的真空干燥时长20％至50％来使光刻胶上层的硬度大于下层，并经过曝光显影后形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，再经过刻蚀步骤形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔，同时降低光刻后与刻蚀后的过孔层的关键尺寸失真，使过孔层电路能有更好的搭接效果，进一步改善电路质量，并且当过孔层坡度角接近直角时，过孔的分辨率也能得到进一步提升。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的制作流程图；

图2是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的过孔层的结构示意图；