[发明专利]一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法在审
申请号: | 201611207849.1 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106588015A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 方海亮;王连军;顾士甲;周蓓莹;罗维;江莞 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | C04B35/505 | 分类号: | C04B35/505;C04B35/64 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人: | 黄志达,魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法,包括将介孔氧化钇装入模具中,在真空或者惰性气氛下,进行放电等离子烧结,冷却,研磨,抛光,得到氧化钇陶瓷。本发明的方法可以实现在较低温度下得到高致密的氧化钇陶瓷,而且这种技术具有升温速率快,烧结时间短等优点,是一种高效率、节能环保的制备技术;结合这种结构粉体和烧结技术,为低温烧结制备氧化钇陶瓷提供了良好的可行性和广泛的发展前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化钇 制备 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法,包括:将介孔氧化钇装入模具中,在真空或者惰性气氛下,进行放电等离子烧结,冷却,研磨,抛光,得到氧化钇陶瓷;其中,放电等离子烧结的温度为1050~1400℃,时间为3~30min,烧结压力为20~200Mpa;介孔氧化钇的制备方法为:将前驱体和表面活性剂溶于溶剂中,加入氨水,在空气湿度为30%~80%的条件下流延成膜,干燥,热处理,得到介孔氧化钇。
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