[发明专利]量子点发光层图案化的方法、量子点彩膜及显示装置有效
申请号: | 201611200363.5 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106597813B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 周志超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/016 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子点发光层图案化的方法,包括步骤:在基板上排布功能量子点,形成量子点层;对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成。根据本发明的量子点发光层图案化的方法工艺简单,便于量产图案化的量子点发光层。本发明还公开了一种包括根据上述方法制备获得的量子点发光层的量子点彩膜、以及具有该量子点彩膜的显示装置。 | ||
搜索关键词: | 量子 发光 图案 方法 点彩膜 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种量子点发光层图案化的方法,其特征在于,包括步骤:在基板上排布功能量子点,形成量子点层;对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成;所述感光基团具有如式(1)所示的化学式:
其中,所述R1选自R2‑(CH2)n‑SO2‑、R2‑(CH2)n‑CO‑、R2‑(CH2)n‑中的任意一种;所述R2选自NH2‑、SH‑、PH2‑、O=PH2‑、SH‑CH2CH2‑NH‑中的任意一种;所述n的取值范围为7≤n≤18。
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