[发明专利]量子点发光层图案化的方法、量子点彩膜及显示装置有效

专利信息
申请号: 201611200363.5 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN106597813B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 周志超 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/016
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光 图案 方法 点彩膜 显示装置
【权利要求书】:

1.一种量子点发光层图案化的方法,其特征在于,包括步骤:

在基板上排布功能量子点,形成量子点层;

对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;

其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成;

所述感光基团具有如式(1)所示的化学式:

其中,所述R1选自R2-(CH2)n-SO2-、R2-(CH2)n-CO-、R2-(CH2)n-中的任意一种;所述R2选自NH2-、SH-、PH2-、O=PH2-、SH-CH2CH2-NH-中的任意一种;所述n的取值范围为7≤n≤18。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述量子点选自Au量子点、CdSe量子点、InP量子点、CdTe量子点中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,对所述量子点层进行曝光显影之前,还包括步骤:

将掩膜版设置在所述量子点层上方;其中,所述掩膜版具有与所述图案化的量子点发光层的形状相匹配的通孔。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述量子点层进行曝光显影的具体步骤包括:

对所述量子点层进行曝光,所述通孔对应位置处的功能量子点发生wolff重排反应,变为变性量子点;

将剩余的所述功能量子点及所述变性量子点与显影液接触,所述变性量子点溶于所述显影液,在所述基板上获得所述图案化的量子点发光层。

5.一种量子点彩膜,其特征在于,包括如权利要求1-4任一所述的量子点发光层图案化的方法制备得到的量子点发光层。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的量子点彩膜。

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