[发明专利]量子点发光层图案化的方法、量子点彩膜及显示装置有效
申请号: | 201611200363.5 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106597813B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 周志超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/016 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光 图案 方法 点彩膜 显示装置 | ||
1.一种量子点发光层图案化的方法,其特征在于,包括步骤:
在基板上排布功能量子点,形成量子点层;
对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;
其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成;
所述感光基团具有如式(1)所示的化学式:
其中,所述R1选自R2-(CH2)n-SO2-、R2-(CH2)n-CO-、R2-(CH2)n-中的任意一种;所述R2选自NH2-、SH-、PH2-、O=PH2-、SH-CH2CH2-NH-中的任意一种;所述n的取值范围为7≤n≤18。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述量子点选自Au量子点、CdSe量子点、InP量子点、CdTe量子点中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,对所述量子点层进行曝光显影之前,还包括步骤:
将掩膜版设置在所述量子点层上方;其中,所述掩膜版具有与所述图案化的量子点发光层的形状相匹配的通孔。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述量子点层进行曝光显影的具体步骤包括:
对所述量子点层进行曝光,所述通孔对应位置处的功能量子点发生wolff重排反应,变为变性量子点;
将剩余的所述功能量子点及所述变性量子点与显影液接触,所述变性量子点溶于所述显影液,在所述基板上获得所述图案化的量子点发光层。
5.一种量子点彩膜,其特征在于,包括如权利要求1-4任一所述的量子点发光层图案化的方法制备得到的量子点发光层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的量子点彩膜。
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