[发明专利]量子点发光层图案化的方法、量子点彩膜及显示装置有效
申请号: | 201611200363.5 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106597813B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 周志超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/016 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光 图案 方法 点彩膜 显示装置 | ||
本发明公开了一种量子点发光层图案化的方法,包括步骤:在基板上排布功能量子点,形成量子点层;对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成。根据本发明的量子点发光层图案化的方法工艺简单,便于量产图案化的量子点发光层。本发明还公开了一种包括根据上述方法制备获得的量子点发光层的量子点彩膜、以及具有该量子点彩膜的显示装置。
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,具体地讲,涉及一种量子点发光层图案化的方法、包括根据该方法制备获得的量子点发光层的量子点彩膜、以及具有该量子点彩膜的显示装置。
背景技术
量子点发光器件因其具有广色域、低成本的溶液法制备、发光谱线可调以及光照下稳定性好等优势而受到广泛的关注,其不仅具有与OLED发光器件相媲美的显示性能,而且具有制备成本更低的优势。因此,量子点发光器件很可能取代OLED发光器件而成为下一代核心显示器件。
在量子点发光器件的制造过程中,量子点发光层的图案化是其中一项关键工艺。目前,量子点发光层的图形化一般是通过打印或转印工艺来实现,但是,在打印或转印工艺中,一般均存在制备工艺繁琐、制备速度较慢的问题。这些现有工艺所存在的问题限制了量子点发光器件的量产发展。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种量子点发光层图案化的方法,该方法工艺简单,便于量产图案化的量子点发光层。
为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种量子点发光层图案化的方法,包括步骤:在基板上排布功能量子点,形成量子点层;对所述量子点层进行曝光显影,在所述基板上获得图案化的量子点发光层;其中,所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成。
进一步地,所述感光基团为重氮酮化合物。
进一步地,所述感光基团为具有苯环的重氮酮衍生物。
进一步地,所述感光基团具有如式(1)所示的化学式:
其中,所述R1选自R2-(CH2)n-SO2-、R2-(CH2)n-CO-、R2-(CH2)n-中的任意一种;所述R2选自NH2-、SH-、PH2-、O=PH2-、SH-CH2CH2-NH-中的任意一种;所述n为正整数。
进一步地,所述n的取值范围为7≤n≤18。
进一步地,所述量子点选自Au量子点、CdSe量子点、InP量子点、CdTe量子点中的任意一种。
进一步地,对所述量子点层进行曝光显影之前,还包括步骤:将掩膜版设置在所述量子点层上方;其中,所述掩膜版具有与所述图案化的量子点发光层的形状相匹配的通孔。
进一步地,对所述量子点层进行曝光显影的具体步骤包括:对所述量子点层进行曝光,所述通孔对应位置处的功能量子点发生wolff重排反应,变为变性量子点;将剩余的所述功能量子点及所述变性量子点与显影液接触,所述变性量子点溶于所述显影液,在所述基板上获得所述图案化的量子点发光层。
本发明的另一目的在于提供一种量子点彩膜,其包括如上任一所述的量子点发光层图案化的方法制备得到的量子点发光层。
本发明的另一目的还在于提供一种显示装置,其包括如上所述的量子点彩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611200363.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。