[发明专利]一种物理不可克隆芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201611200253.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108229224B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 段慧萍;彭坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/87 | 分类号： | G06F21/87;G06F21/78;G06F21/75 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘彦君;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种物理不可克隆芯片及其制造方法，所述制造方法包括：在生成芯片裸片的顶层金属连接层时，同时生成间隔排列的极板阵列；在所述顶层金属连接层上生成沉积；在彼此相邻的两个所述极板之间，设置分别与一排中彼此相邻的两个所述极板相切的开孔；涂覆导电涂层至所述芯片裸片；其中：所述导电涂层中包括导电颗粒，且所述导电颗粒的大小随机分布；封装所述芯片裸片，得到所述物理不可克隆芯片。采用上述方案可以提高芯片的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 不可 克隆 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种物理不可克隆芯片的制造方法，其特征在于，包括：在生成芯片裸片的顶层金属连接层时，同时生成间隔排列的极板阵列；在所述顶层金属连接层上生成沉积；在彼此相邻的两个所述极板之间，设置分别与一排中彼此相邻的两个所述极板相切的开孔；涂覆导电涂层至所述芯片裸片；其中：所述导电涂层中包括导电颗粒，且所述导电颗粒的大小随机分布；封装所述芯片裸片，得到所述物理不可克隆芯片。
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