[发明专利]一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法

摘要

一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域，具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题。制备方法：一、揉制面团；二、发酵与冻干得到多孔面团；三、炭化得到碳多孔骨架；四、烧结得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。本发明主要用于制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷。

主权项

1.一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：一、揉制面团：利用去离子水将面粉和酵母混合均匀，并揉制成面团；或利用去离子水将面粉、硅粉和酵母混合均匀，并揉制成面团，且面团中硅粉质量不高于面粉质量的1/4；二、发酵与冻干：将面团先恒温发酵，然后冷冻干燥，得到多孔面团；三、炭化：将多孔面团进行炭化处理，得到碳多孔骨架；四、烧结：将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部，并将碳多孔骨架放置在反应硅源上，然后盖上刚玉盖子，得到盛有反应物的刚玉坩埚；以氩气作保护气，将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400～1600℃下烧结0.5h～24h，冷却至室温，即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷；步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物；所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成：将二氧化硅粉末和硅粉用球磨机充分混合1h～10h，其中所述二氧化硅粉末与硅粉的摩尔比为(0.1～1):1。