[发明专利]一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：

一、揉制面团：

利用去离子水将面粉和酵母混合均匀，并揉制成面团；

或利用去离子水将面粉、硅粉和酵母混合均匀，并揉制成面团，且面团中硅粉质量不高于面粉质量的1/4；

二、发酵与冻干：将面团先恒温发酵，然后冷冻干燥，得到多孔面团；

三、炭化：将多孔面团进行炭化处理，得到碳多孔骨架；

四、烧结：将反应硅源铺放在刚玉坩埚底部，并将碳多孔骨架放置在反应硅源上，然后盖上刚玉盖子，得到盛有反应物的刚玉坩埚；以氩气作保护气，将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400～1600℃下烧结0.5h～24h，冷却至室温，即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷；

步骤四中所述的反应硅源为二氧化硅粉末/硅粉混合物；所述的二氧化硅粉末/硅粉混合物是按以下操作混合而成：将二氧化硅粉末和硅粉用球磨机充分混合1h～10h，其中所述二氧化硅粉末与硅粉的摩尔比为(0.1～1):1。

2.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所述的面粉与酵母的质量比为200:(1～5)；步骤一中所述的面粉的质量与去离子水的体积比为1g:(0.6mL～1mL)。

3.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤二中将面团在温度为35～45℃恒温条件下发酵5min～90min，然后在冷冻干燥机中冷冻干燥6h～24h，得到多孔面团。

4.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤三中将多孔面团放入管式炉中，以惰性气体作为保护气，在温度为800～1000℃下炭化处理0.5h～24h，得到碳多孔骨架。

5.根据权利要求4所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于所述的惰性气体为氮气或氩气。

6.根据权利要求1所述的一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤四中所述碳多孔骨架与反应硅源的质量比为1:(1～10)。