[发明专利]中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备

摘要

本发明涉及高纯氧化亚硅的制备技术领域，具体地说是中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备，其特征在于，采用如下制备方法1、原料准备含量>99.5wt％高纯硅、含量>99.5wt％二氧化硅按重量比11混合；2、中频感应加热；3、冷却得成品；当中频感应加热温度在1200～1600℃时，调节原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比时，产物SiOx中x值为固定值；而当中频感应加热温度≥1600℃时，控制原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比的比值在0.88～1.2时，产物SiOx中x的值在0.89～1.10范围内可调。本发明与现有技术相比，加热效率高，设备稳定；可以通过加热温度和原料配比的调整获得不同硅氧比产品。

主权项

一种中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法，其特征在于，采用如下制备方法：(1)、原料准备：含量＞99.5wt％高纯硅、含量＞99.5wt％二氧化硅按重量比1∶1混合，经压片机压制成饼状后脱水；(2)、中频感应加热：将饼状混合原料投入中频感应加热设备的石墨坩埚中，在真空条件下加热至1200～2000℃，恒温3～5h，使原料进行反应并逐渐升华；(3)、冷却得成品：恒温结束8～10h后，物料冷却至室温，将中频感应加热设备中的收集器打开，取出吸附在收集器内壁上的高纯氧化亚硅SiOx成品；当中频感应加热温度在1200～1600℃时，调节原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比时，产物SiOx中x值为固定值；而当中频感应加热温度≥1600℃时，控制原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比的比值在0.88～1.2时，产物SiOx中x的值在0.89～1.10范围内可调。